2026年4月9日
纽约州州长凯西·霍赫尔（Kathy Hochul）今日宣布，纽约创新局（NY Creates）奥尔巴尼纳米技术园区（Albany Nanotech Complex）高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻中心，正式启动首台主要设备安装工作。东京电子（Tokyo Electron）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro DICE™设备的抵达与安装，标志着该中心向引领美国半导体芯片研发未来迈出关键一步。
这款尖端300毫米晶圆涂胶/显影系统，可在硅晶圆上涂覆并处理光敏层，为下一代先进处理器、存储器等芯片的精细图案制造提供支撑。该设备是这座北美首个且唯一公有可访问高NA EUV光刻研究基地的首台核心设备，意义重大。
霍赫尔州长表示，纽约州在半导体研发与制造领域引领全美，该设备安装将确保纽约州持续处于芯片创新前沿，彰显了公私合作伙伴关系的重要价值。据悉，该高NA EUV中心是2023年12月宣布的100亿美元合作项目，含90亿美元行业投资与10亿美元州政府资金，IBM、美光（Micron）等行业领军企业参与其中。
未来数月，阿斯麦（ASML）最先进的High NA EUV光刻系统将分批次抵达，安装于新建的纳米制造反射楼（NFR）内，预计年底前实现“首次发光”。该中心依托奥尔巴尼纳米技术园区的领先基础设施，目前已开放标准NA EUV能力，High NA EUV能力将支持sub-2nm芯片研发，助力AI、高性能计算等领域突破。
纽约创新局总裁戴夫·安德森（Dave Anderson）表示，该设备安装是打造全球顶尖半导体研发能力的重要一步，将为合作伙伴提供关键支撑。此次里程碑事件，不仅强化美国半导体生态系统，更助力美国在全球芯片竞赛中保持领先，为下一代芯片研发奠定坚实基础。
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