纽约州州长凯西·霍楚尔（Kathy Hochul）今日宣布，纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术综合体（NY Creates）已接收全球最先进半导体设备的首批主要组件——阿斯麦（ASML）的高数值孔径极紫外（High NA EUV）系统。底部主模块的运抵，标志着在建立北美首个可对外开放的高数值孔径极紫外光刻中心方面取得重大进展。该项目由纽约州10亿美元投资促成，撬动了90亿美元的产业资金，并将创造数百个新的永久性就业岗位。这批关键工具组件的到货，代表着支持下一代半导体技术创新、研发速度更快、能效更高、成本更低芯片的前沿能力进入下一阶段。
凯西·霍楚尔表示：“今日的里程碑让我们距离确立纽约作为全美半导体创新与世界级研发基地的未来更近一步。通过将这颗星球上最先进的芯片制造技术引入NY Creates及奥尔巴尼纳米技术综合体，我们正在将承诺变为现实。未来数十年，纽约州将成为尖端芯片设计无可争议的枢纽。”
今年早些时候，东京电子有限公司（Tokyo Electron, Ltd.）生产的首台用于NY Creates高数值孔径极紫外中心的设备已运抵奥尔巴尼纳米技术综合体，更多系统组件将在整个夏季陆续运抵现场。该工具系统支持革命性技术，将使NY Creates及其全球知名合作伙伴能够推进1纳米以下节点的芯片研发，是先进半导体未来发展的关键技术路径。
纽约州帝国开发署总裁、首席执行官兼厅长霍普·奈特（Hope Knight）表示：“得益于霍楚尔州长的领导，纽约州持续推进明智、战略性的投资，巩固其作为全球半导体研发、开发与先进制造中心的地位。全球最先进光刻技术落地NY Creates是又一重大成就，不仅壮大了我们的创新生态，吸引了行业领军伙伴，更确保下一代芯片突破及其催生的优质岗位扎根纽约。”
随着设备安装工作在2026年全年推进，预计年底将迎来首批研发里程碑，高数值孔径极紫外系统有望于2027年初正式投入研发活动。首批组件运抵NY Creates最先进的NanoFab Reflection设施，将与现有先进极紫外能力形成互补，促进合作伙伴生态扩张，支撑关键研发项目。
ASML TWINSCAN EXE:5200B高数值孔径极紫外光刻系统通过精密光学元件聚焦激光驱动等离子体光源，可实现更小、更复杂的芯片特征图形化，从而打造算力更强、能耗更低且更具成本优势的芯片。该系统体积堪比双层巴士，重量超过200吨，共拆分为250个板条箱，通过5架货运专机和20辆气垫半挂卡车运输，集装箱总数超过40个。
高数值孔径极紫外光刻中心总部设于NY Creates全新的NanoFab Reflection设施，将为合作伙伴提供全球顶尖半导体技术的使用权，助力在先进芯片图形化、工艺开发及器件微缩方面实现突破。该中心将成为整个半导体生态系统开展协作研发的关键资源，同时助推经济增长，拓展未来人才培养机遇。
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